型号:

SIA517DJ-T1-GE3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SIA517DJ-T1-GE3 PDF
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 29 毫欧 @ 5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 500pF @ 6V
功率 - 最大 6.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装 PowerPAK? SC-70-6 双
包装 标准包装
其它名称 SIA517DJ-T1-GE3DKR
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